中国科学院合肥物质科学研究院研究团队在稳态强磁场装置(SHMFF)电输运和磁测量系统的支持下，发现了一种新型超导材料(InSe2)xNbSe2，具有独特的晶格结构。该材料的超导转变温度达到11.6K，是常压下转变温度最高的过渡金属硫化物超导体。

TMD材料因其在催化、储能和集成电路等领域的广泛应用而受到广泛关注。然而，TMD超导体相对较低的超导转变温度限制了其潜在用途。

在这项研究中，科学家成功制备了一种化学式为(InSe2)xNbSe2的新型超导材料。与将孤立的原子插入低维材料的范德华能隙的常规条件不同，在(InSe2)xNbSe2中，发现插入的铟原子形成InSe2键合链。

“这种材料在所有过渡金属二硫属化物(TMD)超导体中具有非常高的转变温度，”领导该团队的张长进教授说，“并且它表现出令人印象深刻的临界电流密度。”

(InSe2)0.12NbSe2样品的超导转变温度在环境压力下可高达11.6K，比原始NbSe2高60%。

此外，(InSe2)xNbSe2超导体表现出8x105A/cm2的大临界电流密度，这也是所有TMD超导体中最高的。其临界电流密度可与铜酸盐、铁基化合物等高温超导体相媲美，展现出良好的应用前景。

研究小组表示，这一发现为推进超导研究和开发性能改进的高温超导体开辟了新的可能性。