大多数精神分裂症患者都有广泛的记忆障碍，包括前瞻性记忆，即记住执行未来活动的能力。《神经精神药理学报告》上发表的一项随机临床试验的结果表明，重复经颅磁刺激(rTMS)是一种使用交变磁场在底层脑组织中感应电流的非侵入性方法，可能有助于改善未来记忆的某些方面。患有精神分裂症的人。

该试验包括 50 名精神分裂症患者和 18 名健康对照者。在 50 名患者中，26 名完成了主动 rTMS，24 名完成了假 rTMS。健康对照者未接受任何治疗。

研究人员评估了基于事件的前瞻记忆(记住在外部事件发生时执行某项操作，例如记得下次见到朋友时向他们发送消息)和基于时间的前瞻记忆(记住在某个时间执行某项操作)。某个时间，例如记得参加将来安排的会议。

试验基线时，精神分裂症患者基于事件的前瞻性记忆和基于时间的前瞻性记忆评分均显着低于对照组。经过rTMS治疗后，患者基于事件的前瞻记忆评分显着改善，并且与对照组相似，而患者基于时间的前瞻记忆评分没有改善。

“这项研究的结果可能为精神分裂症患者的前瞻性记忆提供一种治疗选择，”中国北京大学的共同通讯作者李素霞博士说。