美光宣布推出 UFS 4.0 移动存储解决方案，并透露已向“精选的全球智能手机制造商和芯片组供应商”发货了合格样品。

新技术将用于制造256GB、512GB和1TB容量的存储。大批量生产将于今年下半年开始，因此第一批配备美光 UFS 4.0 存储的手机还需要一段时间才能上市。

该存储基于 232 层 TLC 闪存(单元，即每个单元存储 3 位)构建。据该公司称，其六平面 NAND 架构可实现更高的随机读取吞吐量。相比上一代存储写入带宽高出100%，读取带宽高出75%。

更具体的数字是，美光的 UFS 4.0 存储可提供高达 4,300 MBps 的顺序读取速度和高达 4,000 MBps 的顺序写入速度。这比三星的 UFS 4.0还要高，尤其是写入评级。

美光推出 UFS 4.0 存储技术，速度是上一代存储的两倍

此外，新的 UFS 4.0 芯片的能效提高了 25%，写入延迟降低了 10%。